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王 启
青年副研究员
电        话:
邮        箱:
wangqi_fd@fudan.edu.cn
地        址:
复旦大学张江校区软件楼207-1室
研  究  所:
微纳电子器件研究所

研究方向:

集成电路先进制造中的光刻及量测技术


教育背景:

2013年09月~2019年06月 复旦大学信息科学与工程学院,光学,博士

2009年09月~2013年06月 复旦大学物理系,本科


工作学术经历:

2022年09月-至今 复旦大学微电子学院,青年副研究员

2019年07月-2022年08月 上海集成电路研发中心有限公司,新型器件和材料实验室,光刻工程师


获奖或荣誉:

2021年 国际先进光刻技术研讨会优秀张贴报告奖(IWAPS 2021)


代表性成果:

1.Qi Wang, Yayi Wei, Qiang Wu, Yanli Li, Xianhe Liu,“An optical critical dimension (OCD) model analysis on 3nm complementary FET (CFET) gate stacks”,Proc. SPIE Vol. 124962Q (IEEE Xplore, 2023)

2.Qi Wang, Qiang Wu, Xianhe Liu, Yanli Li,“The Analysis of Optical Critical Dimension (OCD) Signal Strength Between 5 nm FinFET and 3 nm Complementary FET (CFET) Vertical Gate Stacks” ,Proc. China Semiconductor Technology International Conference (IEEE Xplore, 2023) 

3.Yanli Li, Yayi Wei, Qiang Wu, Xianhe Liu, Qi Wang*,“A study of diffraction-based overlay (DBO) on a 3nm CFET metal layer” Proc. SPIE Vol. 124962Y (IEEE Xplore, 2023)

4.Qi Wang, Haihua Chen, Shaojian Hu,Verified Optical Scatterometry Model for Line-Space and Fin-FET Structures, Proc.IWAPS 2021 P-08, (IEEE Xplore, 2021)

5.Qi Wang, Aihua Yang, Qiang Wu, Yuhang Zhao,“Optical Scatterometry Modeling of 5 nm Logic Metal Gate Structures”, Proc. China Semiconductor Technology International Conference (IEEE Xplore, 2020)