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第十三届国际固态和集成电路技术会议(ICSICT 2016)成功召开

发布日期:2016-10-28 浏览量:5

  由IEEE北京分会、复旦大学和北京大学主办,复旦大学微电子学院、专用集成电路与系统国家重点实验室、长三角集成电路设计与制造协同创新中心承办的第十三届国际固态和集成电路技术会议(ICSICT 2016)于10月25日-28日成功举行。大会共主席复旦大学汤庭鳌教授主持开幕式,大会共主席黄如院士致开幕词。今年适值ICSICT成立30周年,会议期间开展了多种庆祝活动。在开幕式上演播了介绍ICSICT30年历程的视频,缅怀了已故先辈们王守武院士、林兰英院士、李志坚院士、葛守仁教授、王守觉院士对创建ICSICT及对我国微电子技术发展作出的卓越贡献。大会向23位中外固态和集成电路技术业界人士颁发了ICSICT贡献奖,表彰他(她)们对ICSICT发展作出的积极贡献。IEEEEDS主席SamarSaha、SSCS主席JanVanderSpeigel、王阳元院士、美国总统科技奖获得者UCBerkeley教授ChenmingHu等中外知名学者亲临祝贺或发来视频,祝贺ICSICT成立30周年。TPC共主席复旦大学蒋玉龙教授向大会汇报了有关会议的程序。

  ICSICT2016首日,由《东方天使》总裁LinYang先生作了关于神经网络的拓导报告,这项当前国际前沿的研究热点受到与会代表的极大关注。StevenVoldman博士和MengfanChang教授就EOS、ESD技术和存储器设计技术的发展作了拓导报告,深受听众欢迎。大会邀请了Intel副总裁PengBai博士、美国耶鲁大学教授T.P.Ma、美国伊利诺大学教授JohnARogers、Cadence公司副总裁Chin-ChiTeng、日本东京工业大学教授HiroshiIwai、韩国三星公司GitaeJeong博士、STMicroelectronics公司GiorgioCesana博士、Platform公司总裁YanfengLi博士等分别就摩尔定律对今后半导体技术发展的导向、MEMS技术用于人体的软电子学、人工智能在半导体中的应用、不挥发存储器技术的发展等热点作了精彩的主题报告,受到与会者的热烈欢迎。大会举行了58场分组论文报告,2场大字报张贴专场,现场讨论热烈、学术交流气氛浓厚。大会组织了一场题为“什么是CMOS后半导体技术发展的驱动力?”的专题讨论,学术界和企业界的学者专家展开了热烈讨论。会议期间相关企业展示了先进的测量仪器和设计技术,为固态和集成电路的研制及生产提供了有力的工具。

  闭幕式上大会向11位优秀学生论文作者授奖,复旦大学、北京大学和日本Gunma大学各有2篇学生论文得奖。ICSICT为微电子学术界和企业界,特别是为青年科技人员和学生提供了良好的交流平台。ICSICT的主题口号是“BringingtheworldtogetherinMicroelectronics”,通过会议扩大了中外在微电子领域的交流,促进了我校微电子学科的发展。


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 ICSICT 30周年贡献奖获奖者与授奖者合影


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11位优秀学生论文作者合影