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晶体管三维表格模型

发布日期:2015-03-23 浏览量:109

表格模型方法通过从晶体管物理解析模型(如BSIM和EKV)或测量的电学特性中获得的有限器件工作点上的物理量构建一系列多维表格来刻画器件的输入输出特性(包括I-V和Q-V特性),现有的晶体管表格模型近似方法由于存在精度、过高的内存消耗、物理量导数不连续、非物理振荡现象等问题,难以适用于对精度、收敛性要求较高的数模混合电路的仿真。


针对二元和三元的三次Hermite样条插值,复旦大学曾璇教授提出了消除振荡技术,提高了大规模数模混合电路仿真中牛顿迭代算法的收敛性。同时,首次提出了一种针对截止电流的混合外推插值方法,这种方法可以同时保证电流外推插值的精度和牛顿迭代在外推插值区域中的收敛性。与TBMA方法、ENO多项式插值方法相比,具有更好的收敛性、更低的计算开销。相关研究成果“MOS Table Models for Fast and Accurate Simulation of Analog and Mixed-Signal Circuits Using Efficient Oscillation-Diminishing Interpolations”2015年发表在集成电路自动化设计领域的国际权威SCI期刊IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems,开发的晶体管三维表格模型已经集成到华大九天的EDA工具平台的电路仿真工具Aeolus中。