研究方向：
1）新型光电材料及微电子器件，如氧化镓、钙钛矿等；
2）半导体表界面工艺调控及先进表征，如同步辐射等；
3）真空镀膜及微电子学；
4）集成电路工艺等。
教育背景：
中国科学院大学，博士，光学
个人简介：
杨迎国，博士生/硕士生导师，入选国家高层次青年人才。主要从事新型功能材料与器件制备及其先进表征研究，包括发光二极管（LED）、紫外-可见-X射线探测器、存储器、芯片的三维高精度无损检测、AI辅助功能器件高通量制备、同步辐射表征等。相关研究成果发表在Nature、Science、 Advanced Materials、Advanced Functional Materials、EES及国产高水平杂志eScience、JEC、物理学报、核科学与技术等SCI论文200余篇，h因子~68，引用>2万次，连续入选“科睿唯安全球高被引学者”、“全球前2%顶尖科学家榜单”等。
工作学术经历：
2022年02月-至今 复旦大学，微电子学院，青年研究员
2014年07月-2022年02月上海同步辐射光源，中国科学院上海应用物理研究所/中国科学院上海高等研究院，助理研究员、副研究员
获奖或荣誉：
天津市自然科学特等奖（2025年度），2026.04
中国光学十大进展（2023年度），2024.04
国际先进材料协会科学家奖章（IAAM Scientist Medal），2023
2025上海市复合材料学会优秀论文奖
全球前2%顶尖科学家榜单，2022-2025
科睿唯安全球高被引学者，2024-2025
eScience、Moore and More青年编委等
中国科学院院长奖
人才称号：
国家级青年人才计划
上海市浦东明珠计划菁英人才
中国科学院青年创新促进会会员
主持项目：
包括国家自然科学基金重点项目、面上项目、青年项目、国际合作项目(Co-PI)，中国科学院青促会项目、上海市自然科学基金/面上项目、中国科学院重点实验室项目、校企合作项目及复旦大学人才引进项目、上海市明珠计划菁英人才项目、国家高层次人才特殊支持计划项目等。
主讲课程：
半导体表面与界面
近5年代表性成果（第一/通讯作者，含共同）：
1. Maximizing perovskite electroluminescence with ordered 3D/2D heterojunction.
Nature, 2026, 651, 76-82.
2. Isomeric multi-hydrogen-bonding enables blue perovskite LEDs.
Nature, 2026, 655, 617-623.
3. A 3D-Conformal Flexible X-Ray Detector with 2.06 pArms Ultra-Low Noise Readout Circuit Enabling Low-Dose Computed Tomography Imaging.
Symposiumon VLSI Circuits (VLSI-C), June, 2026.
4. Weakly space-confined all-inorganic perovskites for light-emitting diodes.
Nature, 2025, 643, 96–103.
5. Acceleration of radiative recombination for efficient perovskite LEDs.
Nature, 2024, 630, 631-635 .
6. Self-assembled bilayer for perovskite solar cells with improved tolerance against thermal stresses.
Nature Energy, 2025, 10, 342-353.
7. Highly Stable Electronics Based on β-Ga2O3 for Advanced Memory Applications.
Adv. Sci. 2025, 12, 2413846.
8. Advanced growth techniques and challenges in ferroelectric AlScN thin films for next-generation electronic devices.
Moore. More 2025,2, 10 (2025).
9. Ga2O3 solar-blind deep-ultraviolet photodetectors with a suspended structure for high responsivity and high-speed applications.
Research, 2024, 7: 0546.
10. High responsivity and flexible deep-UV phototransistor based on Ta-doped β-Ga2O3.
npj Flexible Electronics 2022, 6: 47.
11. Effective Suppression of MIS Interface Defects Using Boron Nitride toward High-Performance Ta-Doped-β-Ga2O3 MISFETs.
J. Phys. Chem. Lett., 2022, 13, 3377.
12. Highly sensitive and stable β-Ga2O3 DUV phototransistor with local back-gate structure and its neuromorphic application.
Nano Research, 2022,15, pages9359–9367.
论文链接Linkedin: https://www.researchgate.net/profile/Yingguo-Yang
