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李艳丽
青年研究员 硕士生导师
电        话:
邮        箱:
li_yanli@fudan.edu.cn
地        址:
复旦大学张江校区微分析楼B205室
研  究  所:
微纳电子器件研究所

研究方向:

集成电路先进光刻工艺及光刻相关设备、光刻材料、光刻相关算法软件


教育背景:

2010年09月~2015年06月 复旦大学信息科学与工程学院,光学,博士

2006年09月~2010年06月 山东大学信息科学与工程学院,光信息科学与技术,本科


工作学术经历:

2021年06月-至今 复旦大学微电子学院,青年研究员

2018年11月-2021年05月 上海集成电路研发中心有限公司,新型器件和材料实验室

2015年07月 -2018年11月 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,光刻研发部 


获奖或荣誉:

2020年中国国际半导体技术大会(CSTIC 2020)最佳年轻工程师二等奖


代表性成果:

1.Yanli Li,Qiang Wu, and Shoumian Chen,“The Soft X-Ray Lithography Performance under Typical Single-digit nm Logic Design Rules, Including Stochastics and Defectivity”,IEEE Xplore , 2020.

2.Yanli Li,Qiang Wu, and Yuhang Zhao, “A Simulation Study for Typical Design Rule Patterns and Stochastic Printing Failures in a 5 nm Logic Process with EUV Lithography”,IEEE Xplore , 2020.

3.Yanli Li,Qiang Wu, and Shoumian Chen,“A Simulation Study for Typical Design Rule Patterns in a 5 nm Logic Process with EUV Photolithography Process”,J. Microelectron. Manuf. 2019, 2(4):7.

4.Yanli Li*, Xiaona Zhu, Shaofeng Yu, and Qiang Wu*,“A Study of the Advantages to the Photolithography Process brought by the High NA EUV Exposure Tool in Advanced Logic Design Rules ”,IEEE Xplore , 2021.

5.Qiang Wu*,Yanli Li*, Xiaona Zhu, and, Shaofeng Yu,“The Discussion of the Typical BEOL Design Rules from 3 nm to 2 nm Logic Process with EUV and High NA EUV Lithography”,IEEE Xplore , 2021. 

6.Qiang Wu*,Yanli Li*, Liwan Yue*, and, Zhibiao Mao,“Process Model Guided Photoresist Formulation Optimization”,IEEE Xplore , 2021.