研究方向：

铁电材料，铁电存储器件设计及工艺研发。目前聚焦于基于畴壁存储的高密度交叉棒（Crossbar）存储阵列和芯片的研究。

工作经历：

2021年05月-至今复旦大学微电子学院，青年研究员

2018年09月-2021年04月复旦大学微电子学院，助理研究员

教育背景：

2012年09月-2016年06月复旦大学，博士

2009年09月-2012年06月南京电子器件研究所，硕士

2005年09月-2009年06月兰州大学，学士

近期代表性成果：

1.Wen Jie Zhang, Bo Wen Shen, Hao Chen Fan, Di Hu, An Quan Jiang*, Jun Jiang*; Nonvolatile Ferroelectric LiNbO3 Domain Wall Crossbar Memory, IEEE Electron Device Letters, 2023, DOI 10.1109/LED.2023.3240762.

2.Jun Jiang, Chao Wang, Xiaojie Chai, Qinghua Zhang, Xu Hou, Fanqi Meng, Lin Gu, Jie Wang, An Quan Jiang*, Surface-bound domain penetration and large wall current, Advanced Electronic Materials, 2021, 7(3), 2000720.

3. Xiaojie Chai^#, Jun Jiang^#, Qinghua Zhang, Xu Hou, Fanqi Meng, Jie Wang, Lin Gu, David Wei Zhang, An Quan Jiang*, Nonvolatile ferroelectric field-effect transistors, Nature Communications, 2020, 11, 2811.

4. Chao Wang, Jun Jiang*, Xiaojie Chai, Jianwei Lian, Xiaobing Hu, and An Quan Jiang*, Energy-Efficient Ferroelectric Domain Wall Memory with Controlled Domain Switching Dynamics, ACS Applied Materials & Interfaces, 12, 44998−45004.

5. Jun Jiang^#, Zi Long Bai^#, Zhi Hui Chen, Long He, David Wei Zhang, Qing Hua Zhang, Jin An Shi, Min Hyuk Park, James F. Scott, Cheol Seong Hwang, An Quan Jiang*, Temporary formation of highly conducting domain walls for non-destructive read-out of ferroelectric domain-wall resistance switching memories, Nature Materials, 2018, 17, 49–56.