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铁电神经形态器件的研究

发布日期:2019-10-23 浏览量:



报告时间:10月25日(周五)10.30

报告地点:邯郸校区微电子学楼B213室

报告人:田博博(华东师范大学)


报告摘要:

铁电材料具有非易失、低功耗、易操控等特点。其自发铁电极化可以在外加电场的调控下进行方向上的反转。通过控制外加电场的振幅和时间,可以精确获得铁电极反转过程中的连续变化状态,并且这些中间极化态也是非易失的。极化反转的疲劳特性可以达到10^16次,非易失性可以保持10年之久,抗辐射特性优异,极化反转的功耗远低于其他类型的存储器件。这些特点使得铁电存储在构建高效神经形态器件和类脑芯片上具有巨大潜力。本报告主要介绍基于铁电材料设计和制备的多种神经形态器件。


个人简介:

田博博,华东师范大学青年研究员。博士就读于中科院上海技术物理研究所和巴黎中央理工大学,2016年获得中科院大学和巴黎萨克雷大学双博士学位,2016年以师资博后身份进入华东师范大学。2019年任青年研究员,博士生导师。研究方向:围绕铁电、铁谷、自旋、多铁等信息存储材料,设计和研制满足类脑功能需求的神经形态器件,硬件构筑类脑神经网络芯片,开发硬件神经形态计算及存内计算等方面的应用。在Nature Communications, Advanced Electronic Materials, Applied Physics Letters, Physical Review B等期刊发表论文50余篇。2016年入选中国科学院院长特别奖、中国博士后创新计划、上海市扬帆计划,2017年入选上海市晨光计划。


联系人:顾宗铨