第319期集成电路新器件技术前沿研讨会顺利闭幕



  由复旦大学承办的东方科技论坛第319期研讨会于2018年11月13日-14日在上海沪杏科技图书馆举行。国家科技重大专项(02)技术副总师、国家集成电路创新中心总经理、复旦大学微电子学院执行院长张卫担任会议执行主席,来自全国知名高校、研究所和企业的20多位专家学者参加了本次论坛。

  集成电路是信息产业发展的核心和关键。集成电路发明60年来,技术创新的脚步从未停歇过,从上个世纪90年代末的铜互连技术,到2007年45nmCPU出现的高k栅介质/金属栅工艺,再到2014年Intel在22nm技术上率先采用的鳍型晶体管,可以说新器件、新工艺、新材料不断涌现。然而,当集成电路技术节点演进到5nm技术时,又开始面临着新的挑战和机遇,而新器件方面的研究突破将会带来革命性的变化。能否抓住新的创新发展机遇必将是下一代集成电路技术竞争的关键。

  为促进我国在微电子新器件上的最新研究成果的交流,探讨未来技术发展趋势,以此促进年轻科技人才的成长和学科交叉融合,从而共同推动集成电路学科的发展,复旦大学组织了本次东方论坛。论坛主要围绕纳米环栅器件、新型存储器、后摩尔时代的新原理新器件技术三个中心议题展开讨论。在本次论坛上,来自中科院微电子所、中科院上海微系统所、北京大学、西安电子科技大学、复旦大学等单位的专家报告了他们在微电子新器件新工艺上的最新成果。不难看出,我国科学家在微电子某些前沿研究上,比如半浮栅晶体管、堆叠型纳米线晶体管、负电容晶体管、黑磷晶体管,以及器件异质集成技术等方面都取得了非常优秀的研究进展。

   在集成电路产业发展过程中,创新一直是技术进步的源泉,创新促使我们不断突破既有的技术瓶颈,跃迁到一个新的高度。与会专家一致认为,集成电路创新发展更需要产学研协同发展,通过开展广泛的国际合作,采用利益共享的商业模式实现共赢。近年来,我国在自主知识产权集成电路技术上已取得长足进步,但创新发展应当摆脱走在人后的惯性,积极开展新器件新工艺的研发,实现原始创新的突破。在长三角一体化发展国家战略的大背景下,长三角集成电路产业的协同发展有利于形成优势互补的产业布局,从而提高整体创新能力,极大地提升我国集成电路产业的发展空间,形成新的产业经济增长带。

  本次论坛为我国微电子器件领域的专家们提供了一次很好的交流合作机会,与会学者对微电子学科的发展和集成电路的人才培养也提出了指导性的建议。论坛取得了预期成果,圆满成功。

 
 
 
 

 

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